完全用CMOS工艺实现离子敏场效应型晶体管(ISFET)成为可能

这种ISFET的栅极结构是由绝缘体、多晶硅、金属层叠起来

称之为多层栅结构。从ISFET的传感机理出发

通过分析金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)阈值电压的原理

利用通用电路模拟程序(SPICE)建立了这种多层栅结构ISFET的物理模型

并对其静态输入输出特性进行仿真

仿真结果和试验数据基本相符。