低温阳极键合技术研究

doi:10.13873/j.1000-97872005.09.014

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低温阳极键合技术研究

更新时间：2025-09-11

- 低温阳极键合技术研究
- Issue 9, Pages: 37-39(2005)
- 作者机构：
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：10.13873/j.1000-97872005.09.014
  CLC： TN405
- Published：2005
- 稿件说明：
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[J]. 2005, (9): 37-39.
DOI：

[J]. 2005, (9): 37-39. DOI： 10.13873/j.1000-97872005.09.014.

摘要

通过键合温度220～250℃、键合电压400～600 V的硅玻璃低温阳极键合实验

分析了温度和电场分别对键合强度和键合效率的影响

并讨论了键合机理。

Abstract

关键词

Keywords

references

吴登峰,邬玉亭,褚家如,张淑珍.采用线阴极的快速阳极键合方法[J].传感器技术,2003(05).

吴东平,黄宜平,竺士炀.晶片键合技术及其在微电子学中的应用[J].微电子学,1999(01).

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