新型InSb-In薄膜磁阻式振动传感器的设计

doi:10.13873/j.1000-97872005.07.020

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新型InSb-In薄膜磁阻式振动传感器的设计

更新时间：2025-09-11

- 新型InSb-In薄膜磁阻式振动传感器的设计
- Issue 7, Pages: 54-56(2005)
- 作者机构：
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- 基金信息：
- DOI：10.13873/j.1000-97872005.07.020
  CLC： TP212.12
- Published：2005
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[J]. 2005, (7): 54-56.
DOI：

[J]. 2005, (7): 54-56. DOI： 10.13873/j.1000-97872005.07.020.

摘要

介绍了一种用InSbIn共晶体薄膜磁敏元件制成的准全方位振动传感器。它由两对对称轴方向互相垂直的InSbIn磁敏元件构成

可将检测方位范围由一维扩展到现在的二维平面

并用单片机P87LPC760对传感器信号进行处理

应用中可提高检测信号的准确性。经实测

在机械振动的中低频率检测范围内

传感器的有效频带不窄于4～760Hz

其通频带内信噪比为30～32dB

经换算得灵敏度为16mV/gn。同时

得到传感器振动强度大小与磁敏电阻器输出信号关系曲线。

Abstract

关键词

Keywords

references

《电子元件材料手册》编写组编,曲喜新主编.电子元件材料手册[M].电子工业出版社,1989.

郑鑫,黄钊洪.锑化铟薄膜磁阻式振动传感器[J].传感器世界,2003(11).

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黄钊洪.InSb-In共晶体磁阻薄膜的晶面和磁阻特性[J].传感器技术,2001(08).

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