您当前的位置:
首页 >
文章列表页 >
基于霍尔效应的半导体外延片电参数测试
更新时间:2025-09-11
    • 基于霍尔效应的半导体外延片电参数测试

    • Issue 2, Pages: 38-39+43(2004)
    • DOI:10.13873/j.1000-97872004.02.012    

      CLC: TN307
    • Published:2004

    移动端阅览

  • [J]. 2004, (2): 38-39+43. DOI: 10.13873/j.1000-97872004.02.012.

  •  
  •  
icon
试读结束,您可以激活您的VIP账号继续阅读。
去激活 >
icon
试读结束,您可以通过登录账户,到个人中心,购买VIP会员阅读全文。
已是VIP会员?
去登录 >

0

Views

0

下载量

0

CSCD

Alert me when the article has been cited
提交
Tools
Download
Export Citation
Share
Add to favorites
Add to my album

Related Articles

用霍尔元件实现功率测量的新方法研究
一种用于拱泥机器人位姿检测的倾角传感器

Related Author

No data

Related Institution

No data
0