掺杂和热处理对纳米ZnO薄膜气敏特性影响

doi:10.13873/j.1000-97872002.03.021

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掺杂和热处理对纳米ZnO薄膜气敏特性影响

更新时间：2025-09-11

- 掺杂和热处理对纳米ZnO薄膜气敏特性影响
- Issue 3, Pages: 61-64(2002)
- 作者机构：
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：10.13873/j.1000-97872002.03.021
  CLC： TN304.055
- Published：2002
- 稿件说明：
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[J]. 2002, (3): 61-64.
DOI：

[J]. 2002, (3): 61-64. DOI： 10.13873/j.1000-97872002.03.021.

摘要

用真空蒸发法在玻璃和单晶硅片上制备纯Zn和掺杂Zn薄膜

然后在高于 4 5 0℃条件下进行氧化、热处理 (玻璃衬底 )获得良好的纳米ZnO薄膜和掺杂ZnO薄膜。对单晶硅衬底上制备的纯Zn薄膜在高于 80 0℃温度条件下进行液态源掺杂

获得掺B和P纳米ZnO薄膜。实验表明

掺杂和热处理使纳米ZnO薄膜的结构、导电性能得到改善

有效地降低了纳米ZnO薄膜的电阻

同时薄膜的气敏特性也得到较大的改善

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关键词

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