双层气敏薄膜的Ar<sup>+</sup>刻蚀及电学行为

doi:10.13873/j.1000-97871997.05.007

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双层气敏薄膜的Ar⁺刻蚀及电学行为

更新时间：2025-09-11

- 双层气敏薄膜的Ar⁺刻蚀及电学行为
- Issue 5, Pages: 20-22(1997)
- 作者机构：
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：10.13873/j.1000-97871997.05.007
  CLC： TN304.055
- Published：1997
- 稿件说明：
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[J]. 1997, (5): 20-22.
DOI：

[J]. 1997, (5): 20-22. DOI： 10.13873/j.1000-97871997.05.007.

摘要

制备包含α-Fe2O3与SnO2的双层气敏薄膜，研究发现：Ar＋刻蚀可同时除去薄膜表面的物理吸附氧和化学吸附氧，剩下晶格氧，因而O1s的XPS谱图变得对称．

Abstract

关键词

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references

娄向东，杨秀清，李靖华，沈荷生，沈瑜生.α－Fe_2O_3／SnO_2气敏薄膜的结构与性质[J].应用化学,1995(01).

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双层气敏薄膜的Ar+刻蚀及电学行为

DOI：10.13873/j.1000-97871997.05.007

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双层气敏薄膜的Ar⁺刻蚀及电学行为