报道了在SnO

2

、ZnSnO

3

基体材料中掺有α—Fe

2

O

3

金属氧化物作催化剂的半导体气敏材料的性能。实验表明

在不同基体材料中掺入不同比例的α—Fe

2

O

3

后

元件静态电阻R

0

及元件对甲烷（CH

4

）、丁烷、乙醇等气体性能随掺杂比例不同而改善

而对一氧化碳（CO）、汽油等气体性能改善不大。此外

α—Fe

2

O

3

掺杂使元件的可靠性、长期稳定性得到明显提高。