掺钯二氧化锡气敏薄膜的实验研究

doi:10.13873/j.1000-97871993.06.003

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掺钯二氧化锡气敏薄膜的实验研究

更新时间：2025-09-11

- 掺钯二氧化锡气敏薄膜的实验研究
- Issue 6, Pages: 10-12+18(1993)
- 作者机构：
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：10.13873/j.1000-97871993.06.003
  CLC：
- Published：1993
- 稿件说明：
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[J]. 1993, (6): 10-12+18.
DOI：

[J]. 1993, (6): 10-12+18. DOI： 10.13873/j.1000-97871993.06.003.

摘要

XPS分析表明

用直流溅射法制备的掺钯薄膜气敏元件

钯的溅射率比锡高

在薄膜中钯的含量高于靶中的含量、和纯SnO

薄膜相比

此元件对还原性气体有很高的灵敏度

尤其对H

和CH

.对于该元件的气敏机理也作了初步探讨.

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关键词

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姚宗熙等编.物理电子学[M].西安交通大学出版社,1991.

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掺钯二氧化锡气敏薄膜的实验研究

DOI：10.13873/j.1000-97871993.06.003

摘要

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