扩散硅压力芯片和硅环基座封接采用金硅共熔工艺

硅环通过引压管和底座封接

整个力敏器件的结构是浮动式

这样大大减小了芯片周围的应力。芯片外面是充满硅油的膜盒腔。扩散硅芯片内引线采用高掺杂浓度导电带

外引线用金丝

热压焊和超声焊相结合

保证接点有良好的导电性能。这些措施减小了压力变送器的时漂

提高了可靠性。变送器的零点和灵敏度热漂移经过外电路补偿后显著降低。通过两种不同的外电路分别组成电压电流输出的压力变送器

在-20～70℃范围内

准确度为±0.5％F.S

输出信号可为0～5V

4～20mA

1～5V。可广泛用于宇航

石油化工等领域测气体、液体介质的压力。