半导体敏感材料的发展现状

doi:10.13873/j.1000-97871989.02.002

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半导体敏感材料的发展现状

更新时间：2025-09-11

- 半导体敏感材料的发展现状
- Issue 2, Pages: 5-8(1989)
- 作者机构：
  
  中国科学院上海冶金研究所,上海市
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：10.13873/j.1000-97871989.02.002
  CLC：
- Published：1989
- 稿件说明：
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[J]. 1989, (2): 5-8.
DOI：

[J]. 1989, (2): 5-8. DOI： 10.13873/j.1000-97871989.02.002.

摘要

本文介绍了半导体敏感材料的国内外发展现状。硅半导体材料是敏感元器件的重要基础材料

国内外均已成熟

Ⅲ-V族和Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料是光敏、磁敏、热敏和气敏等元器件的重要衬底

国内外均有很大发展。但国内半导体敏感材料的品种少、质量差

不能满足敏感元器件迅速发展的要求。只有加强半导体敏感材料的研究、提高质量、增加品种

方能为半导体敏感元器件的更快发展创造条件。

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