用HNO<sub>3</sub>—HF—H<sub>2</sub>O三元硅腐蚀系统制造扩散硅电阻应变计

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用HNO₃—HF—H₂O三元硅腐蚀系统制造扩散硅电阻应变计

更新时间：2025-09-11

- 用HNO₃—HF—H₂O三元硅腐蚀系统制造扩散硅电阻应变计
- Issue S1, Pages: 68-71(1984)
- 作者机构：
  
  七一五厂
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：10.13873/j.1000-97871984.s1.012
  CLC：
- Published：1984
- 稿件说明：
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[J]. 1984, (S1): 68-71.
DOI：

[J]. 1984, (S1): 68-71. DOI： 10.13873/j.1000-97871984.s1.012.

摘要

本文论述用化学腐蚀方法制作扩散硅电阻应变计。工艺中采用HNO

3

—HF—H

2

O作腐蚀剂

根据扩散控制的流体力学要求建立一种实验装置。在腐蚀过程中

气泡撞击硅片表面

保证被腐蚀表面有新鲜的腐蚀液连续供应和生成物的不断清除

快速而均匀地蚀薄硅片

并且在达到需要厚度之前

不需取出芯片观察。用此方法

成功地分离和蚀薄出扩散硅电阻应变计

表面成镜面平整光亮

厚度均匀可控

是一种批量生产扩散硅电阻应变计的好方法。

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