抗外磁场干扰的双气隙TMR电流传感器研究

doi:10.13873/J.1000-9787(2025)06-0016-05

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抗外磁场干扰的双气隙TMR电流传感器研究

更新时间：2025-09-11

- 抗外磁场干扰的双气隙TMR电流传感器研究
- Issue 6, Pages: 16-20(2025)
- 作者机构：
  
  1. 西安交通大学精密微纳制造技术全国重点实验室
  2. 中国电力科学研究院有限公司
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：10.13873/J.1000-9787(2025)06-0016-05
  CLC： TM933.1;TP212
- Published：2025
- 稿件说明：
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[J]. 2025, (6): 16-20.
DOI：

[J]. 2025, (6): 16-20. DOI： 10.13873/J.1000-9787(2025)06-0016-05.

摘要

电流传感器作为新型电力系统的重要组成部分，在强电磁干扰环境下的精度和稳定性面临极大挑战。本文提出了一种能够有效抵抗外部磁场干扰的隧穿磁电阻(TMR)磁敏直流电流传感器设计方案，利用聚磁环的双气隙结构，有效降低了外部共模信号干扰，并结合外部屏蔽设计，进一步减弱了外部磁场对测量精度的影响。在±20 Ap量程范围内，该传感器的线性度误差优于0.5%

且在外部磁场干扰下的输出变化量小于0.014%

为复杂工况下的高精度直流电流信号感知提供了有效的解决方案。

Abstract

关键词

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