基于超短脉冲激光刻蚀的双解耦MEMS陀螺仪调频技术研究

doi:10.13873/J.1000-9787(2024)07-0039-04

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基于超短脉冲激光刻蚀的双解耦MEMS陀螺仪调频技术研究

更新时间：2025-09-11

- 基于超短脉冲激光刻蚀的双解耦MEMS陀螺仪调频技术研究
- Issue 7, Pages: 39-42(2024)
- 作者机构：
  
  1. 北京大学集成电路学院
  2. 郑州大学电气与信息工程学院
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：10.13873/J.1000-9787(2024)07-0039-04
  CLC： TH824.3;TP212
- Published：2024
- 稿件说明：
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[J]. 2024, (7): 39-42.
DOI：

[J]. 2024, (7): 39-42. DOI： 10.13873/J.1000-9787(2024)07-0039-04.

摘要

以双解耦双质量硅微陀螺仪为主要研究对象，从微观结构入手，分析其工作原理和双解耦运动模型，并提出影响模态特征频率的因素。提出一种改变陀螺仪弹性梁结构厚度来调整其特征频率的方法，建立模型通过Comsol软件仿真陀螺仪梁厚度变化对特征频率的影响关系，并选择皮秒激光刻蚀系统刻蚀陀螺弹性梁厚度，测试其两模态特征频率。测试结果表明：对应频率变化符合理论推导和仿真趋势。

Abstract

关键词

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