高灵敏度SiC动态高温压力传感器仿真研究

doi:10.13873/J.1000-9787(2024)01-0062-03

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高灵敏度SiC动态高温压力传感器仿真研究

更新时间：2025-09-11

- 高灵敏度SiC动态高温压力传感器仿真研究
- Issue 1, Pages: 62-64+68(2024)
- 作者机构：
  
  1. 中北大学动态测试技术国家重点实验室
  2. 太原工业学院自动化系
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：10.13873/J.1000-9787(2024)01-0062-03
  CLC： TP212
- Published：2024
- 稿件说明：
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[J]. 2024, (1): 62-64+68.
DOI：

[J]. 2024, (1): 62-64+68. DOI： 10.13873/J.1000-9787(2024)01-0062-03.

摘要

为了提高碳化硅(SiC)动态高温压力传感器的灵敏度，采用p型SiC材料，同时对传感器的敏感单元的不同结构——方膜和圆膜，利用Ansys软件进行了静力学仿真与分析，并完成了敏感芯片的尺寸设计。仿真结果表明：优化后的传感器输出灵敏度为14.2μV/(V·kPa)。在100～600℃内非线性误差小于1.53%。动态仿真表明：传感器的固有频率为481 kHz

传感器可以在160 kHz高频环境中安全工作，该结果为进一步制备SiC高温压力传感器奠定了理论支撑。

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关键词

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