基于绝缘体上硅(SOI)制作了单环与双环滤波器，并且对其滤波特性进行研究，同时分析了光耦合系数对滤波器输出特性的影响。针对倏逝波耦合结构较弱的调谐能力，提出了马赫—曾德尔干涉仪(MZI)耦合器的改进结构，微环腔长均为1 314μm的单环和双环滤波器，对于单双环，当电极功率分别为18～40 mW和21～33 mW时，可实现滤波器从欠耦合到临界耦合的调谐，且双环滤波器的中心波长在直通端电极功率0～21 mW范围移动了1 nm

相当于一个自由频谱宽度。