在碳化硅(SiC)压阻式压力传感器使用溅射剥离再电镀金属作为掩模进行背腔深刻蚀的工艺中，由于电镀过程中背腔侧壁金属的横向生长，实际背腔刻蚀面积小于设计刻蚀面积。针对该问题，基于电化学仿真计算理论，构建了晶圆背腔刻蚀掩模电镀模型，模拟了该工艺下镀层的生长，为芯片设计提供指导。结果表明，晶圆镀层生长厚度从边缘向中心呈对数减小，背腔侧壁位置横向最大沉积速度要大于纵向最大沉积速度，提高镀液电导率可使二者速度比值趋近于1

可以获得整体厚度更加均匀的镀层，实验与仿真镀层厚度偏差在3.41%

背腔侧壁横向生长厚度与纵向生长厚度之比偏差为4.6%

验证了仿真模型的可靠性。