SOI高温压力传感器无引线倒装式封装研究

doi:10.13873/J.1000-9787(2021)11-0065-04

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SOI高温压力传感器无引线倒装式封装研究

更新时间：2025-09-11

- SOI高温压力传感器无引线倒装式封装研究
- Issue 11, Pages: 65-68(2021)
- 作者机构：
  
  中北大学仪器与电子学院仪器科学与动态测试教育部重点实验室
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：10.13873/J.1000-9787(2021)11-0065-04
  CLC： TP212
- Published：2021
- 稿件说明：
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[J]. 2021, (11): 65-68.
DOI：

[J]. 2021, (11): 65-68. DOI： 10.13873/J.1000-9787(2021)11-0065-04.

摘要

绝缘体上硅(SOI)压阻式压力传感器理论工作温度可达450℃

但传统的器件在高温、振动以及高腐蚀环境中电连接容易失效。开展基于无引线倒装式封装芯片方法的研究。首先

在完成SOI压力传感器芯片制备的基础上

提出了基于阳极键合工艺和玻璃通孔填充(TGV)工艺的倒装式封装方案;其次

研究带有图形的硼硅玻璃和SOI阳极键合工艺

以及基于电镀工艺的通孔金属填充工艺

并对键合强度、键合界面、金属填充效果以及电连接性能进行测试;最后

针对封装好的芯片在常温环境下进行传感器气密性、电连接性能、线性度以及重复度等性能进行测试

进一步验证无引线倒装式封装方法的可行性和有效性。

Abstract

关键词

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