应用于无源RFID标签的BICMOS温度传感器

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设计与制造 | 更新时间：2025-09-11

- 应用于无源RFID标签的BICMOS温度传感器
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- 传感器与微系统 2014年33卷第1期页码：68-71
- 作者机构：
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金资助项目（61072010）
- DOI：10.13873/j.1000-97872014.01.022
  中图分类号： TP212.11;TP391.44
- 纸质出版：2014
- 稿件说明：
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[1]周恩辉,肖谧,毛陆虹,张世林,谢生.应用于无源RFID标签的BICMOS温度传感器[J].传感器与微系统,2014,33(01):68-71.
[1]周恩辉,肖谧,毛陆虹,张世林,谢生.应用于无源RFID标签的BICMOS温度传感器[J].传感器与微系统,2014,33(01):68-71. DOI： 10.13873/j.1000-97872014.01.022.

DOI：

基于IBM 0.18μm SiGe BICMOS工艺

采用温度脉冲转换方式设计了一种应用于无源RFID标签的温度传感器。与绝对温度呈正比（PTAT）的电流源和电流饥饿环型振荡器产生频率与温度呈正相关的振荡信号

作为计数器的时钟信号;用数字模块对接收的帧头代码进行处理得到一个宽度为200μs的脉冲信号

作为计数器的使能信号;利用时域数字量化方式就可以得到不同温度下的数字信号。温度传感器总面积为0.03 mm2

温度在-100

20℃范围内变化时

振荡器输出频率范围由800 kHz

.8 MHz。在1.8 V电源电压下

温度传感器平均输出电流约为13μA

芯片测试结果的有效分辨率可以达到0.864 LSB/℃。

基于CMOS迁移率与阈值电压特性的温度传感器 [J]. 李蕾,毛陆虹,黄晓综,谢生,张世林. 传感器与微系统 . 2010(05)

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