硅基外延GaAs材料的力学仿真分析

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硅基外延GaAs材料的力学仿真分析

研究与探讨 | 更新时间：2025-09-11

- 硅基外延GaAs材料的力学仿真分析
- Mechanical simulation analysis of the Si epitaxial GaAs
- 传感器与微系统 2012年31卷第5期页码：37-39+43
- 作者机构：
  
  1. 中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室
  2. 中北大学电子测试技术国家重点实验室
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金重点资助项目（50730009）,国家自然科学基金面上项目（61171056）
- DOI：10.13873/j.1000-97872012.05.013
  中图分类号： TN304
- 纸质出版：2012
- 稿件说明：
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[1]唐军,郭浩,刘俊,赵锐.硅基外延GaAs材料的力学仿真分析[J].传感器与微系统,2012,31(05):37-39+43.

TANG Jun1, GUO Hao1, LIU Jun1, et al. Mechanical simulation analysis of the Si epitaxial GaAs[J]. 2012, 31(5): 37-39+43.
[1]唐军,郭浩,刘俊,赵锐.硅基外延GaAs材料的力学仿真分析[J].传感器与微系统,2012,31(05):37-39+43. DOI： 10.13873/j.1000-97872012.05.013.

TANG Jun1, GUO Hao1, LIU Jun1, et al. Mechanical simulation analysis of the Si epitaxial GaAs[J]. 2012, 31(5): 37-39+43. DOI： 10.13873/j.1000-97872012.05.013.

摘要

Si

GaAs

Si基异质外延GaAs三种材料的基本力学特性各有不同

通过理论计算和ANSYS仿真得出相同条件下Si基异质外延GaAs材料中GaAs应力转化率是Si和GaAs材料的1.26倍左右

应力造成的位移系数略小于Si

远远小于GaAs

同时经过计算得出Si基异质外延GaAs材料的量程是GaAs材料的5倍

说明Si基外延GaAs材料不仅机械特性良好

而且还明显优于Si和GaAs

有更好的力电耦合效应需要的机械特性。

Abstract

The basic mechanical properties of materials of Si

GaAs and Si epitaxial GaAs are different.Using the theoretical calculation and ANSYS simulation the strain conversion rate of Si epitaxial GaAs is 1.26 times large than that of Si materials under the same conditions.The displacement coefficient is slightly less than Si

far less than GaAs materials.Meanwhile

the range of Si epitaxial GaAs is 5 times than GaAs materials by calculated.That means the mechanical properties of Si epitaxial GaAs is obviously better than the materials of Si and GaAs and a better force electric coupling effect.

关键词

Keywords

references

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