HEMT器件力电耦合传感特性测试

胡宇光; 刘俊; 王勇

doi:10.13873/j.1000-97872012.05.012

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HEMT器件力电耦合传感特性测试

计算与测试 | 更新时间：2025-09-11

- HEMT器件力电耦合传感特性测试
- Test on electromechanical coupling sensitive property of HEMT device
- 传感器与微系统 2012年31卷第5期页码：145-146+152
- 作者机构：
  
  1. 中北大学电子测试技术国家重点实验室
  2. 中国电子科技集团公司第十三研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金资助项目（50730009）;电子测试国家重点实验室基金资助项目（9140C1204030907）
- DOI：10.13873/j.1000-97872012.05.012
  中图分类号： TN386
- 纸质出版：2012
- 稿件说明：
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[1]胡宇光,刘俊,王勇.HEMT器件力电耦合传感特性测试[J].传感器与微系统,2012,31(05):145-146+152.

HU Yu-guang1, LIU Jun1, WANG Yong2. Test on electromechanical coupling sensitive property of HEMT device[J]. 2012, 31(5): 145-146+152.
[1]胡宇光,刘俊,王勇.HEMT器件力电耦合传感特性测试[J].传感器与微系统,2012,31(05):145-146+152. DOI： 10.13873/j.1000-97872012.05.012.

HU Yu-guang1, LIU Jun1, WANG Yong2. Test on electromechanical coupling sensitive property of HEMT device[J]. 2012, 31(5): 145-146+152. DOI： 10.13873/j.1000-97872012.05.012.

摘要

设计了在Si微结构与AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）集成的微机电系统（MEMS）。通过微机械加工工艺

完成了力电耦合传感结构的加工。通过实验测试发现HEMT器件具备很强的力电耦合特性

测试结果在-1.5 V栅压下

HEMT器件对应力的灵敏度为123.96 MPa/mA

线性度为6.95%。

Abstract

A MEMS integrates Si micro-structure with AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor（HEMT）devices is designed.Fabrication of the electromechanical coupling sensitive structure is achieved.The experimental test indicates that the AlGaN/GaN HEMT device has strong electromechanical coupling effect.When grid voltage is-1.5V

the value of sensitivity is up to 123.96 MPa/mA and the value of linearity is 6.95 %.

关键词

Keywords

references

Synthesis and characterization of heteroepitaxial GaN films on Si（111） [J] . Ting Liang,Jianjun Tang,Jijun Xiong,Yong Wang,Chenyang Xue,Xujun Yang,Wendong Zhang. Vacuum . 2010 (9)

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