有机溶剂在P型宏多孔硅电化学腐蚀中的应用研究

陈平; 焦继伟; 葛道晗; 王跃林

doi:10.13873/j.1000-97872011.11.004

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有机溶剂在P型宏多孔硅电化学腐蚀中的应用研究

研究与探讨 | 更新时间：2025-09-11

- 有机溶剂在P型宏多孔硅电化学腐蚀中的应用研究
- Application research of organic solvent in electrochemical etching of P-type macro-porous silicon
- 传感器与微系统 2011年30卷第11期页码：69-71
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室
  2. 中国科学院研究生院
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金资助项目（60876079,60772030）
- DOI：10.13873/j.1000-97872011.11.004
  中图分类号： O646
- 纸质出版：2011
- 稿件说明：
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[1]陈平,焦继伟,葛道晗,王跃林.有机溶剂在P型宏多孔硅电化学腐蚀中的应用研究[J].传感器与微系统,2011,30(11):69-71.

CHEN Ping1, JIAO Ji-wei1, GE Dao-han1, et al. Application research of organic solvent in electrochemical etching of P-type macro-porous silicon[J]. 2011, 30(11): 69-71.
[1]陈平,焦继伟,葛道晗,王跃林.有机溶剂在P型宏多孔硅电化学腐蚀中的应用研究[J].传感器与微系统,2011,30(11):69-71. DOI： 10.13873/j.1000-97872011.11.004.

CHEN Ping1, JIAO Ji-wei1, GE Dao-han1, et al. Application research of organic solvent in electrochemical etching of P-type macro-porous silicon[J]. 2011, 30(11): 69-71. DOI： 10.13873/j.1000-97872011.11.004.

摘要

近年来

多孔硅以其良好的光学、热学、电学以及机械特性使其在微传感器技术领域得到广泛的应用

电化学腐蚀多孔硅的各种方法与原理引起越来越多的关注。研究了P型硅的电化学腐蚀过程中

在腐蚀溶液中使用有机溶剂对多孔硅的制备、速率、成孔机理等方面的影响。研究发现

在分别使用有机溶剂二甲基甲酰胺（DMF）和二甲基亚砜（DMSO）的氢氟酸（HF）腐蚀溶液中

可以制备出孔壁光滑、具有高深宽比的高质量P型宏多孔硅

并发现了一种快速腐蚀P型宏多孔硅的方法

得到高达1900μm/h的腐蚀速率

这有助于提高多孔硅在微传感器批量化生产应用中的效率。在涌流模型基础上

分析了有机溶剂的氧化性和质子（H）提供能力

以及在P型多孔硅快速腐蚀过程中的作用。

Abstract

In recent years

porous silicon is widely used in the field of micro-transducer technology due to its characteristics of good optics

calorifics

electrics and mechanism.More and more attention are paid on various method and theory of P type porous silicon’s electrochemistry etching.The effect of using organic solvent in electrolyte on preparation

rates

principle of pore forming of porous silicon is investigated in the process of electrochemistry etching.When using dimethylformamide（DMF） and dimethyl sulfoxide（DMSO） respectively as organic solvent in electrolyte

high quality macro-porous silicon which has high depth-to-width-ratio and has smooth wall of pole.A method for fast macroporous silicon etching is discovered with etching rate up to 1900 μm/h

which will help to improve the efficiency of application of porous silicon in the field of batch production of micro-transducer.On the basis of current-burst-model

oxidability and H-providing ability and the effect of organic solvent in the etching process of P type porous silicon is analyzed.

关键词

Keywords

references

Investigations of hydrogen sensors made of porous silicon [J] . V.E. Galstyan,Kh.S. Martirosyan,V.M. Aroutiounian,V.M. Arakelyan,A.H. Arakelyan,P.G. Soukiassian. Thin Solid Films . 2008 (1)

Fast speed pore formation via strong oxidizers [J] . X.Q. Bao,J.W. Jiao,J. Zhou,Y.L. Wang. Electrochimica Acta . 2007 (24)

Pore formation mechanisms for the Si-HF system [J] . Materials Science & Engineering B . 2000

Porous silicon bulk micromachining for thermally isolated membrane formation [J] . Sensors & Actuators: A. Physical . 1997 (1)

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