杂质不完全离化对MISiC气体传感器的影响

王巍; 代作海; 王晓磊; 唐政维; 徐洋; 王平

doi:10.13873/j.1000-97872010.09.022

Chinese

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

杂质不完全离化对MISiC气体传感器的影响

研究与探讨 | 更新时间：2025-09-11

- 杂质不完全离化对MISiC气体传感器的影响
- Influence of dopant incomplete ionization on MISiC gas sensor
- 传感器与微系统 2010年29卷第9期页码：67-69+73
- 作者机构：
  
  1. 重庆邮电大学光电工程学院
  2. 重庆邮电大学自动化学院
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  教育部重点实验室开放项目（20090F01）;重庆市自然科学基金资助项目（CSTC2006BB2364）;工信部电子发展基金资助项目
- DOI：10.13873/j.1000-97872010.09.022
  中图分类号： TP212.2
- 纸质出版：2010
- 稿件说明：
移动端阅览
[1]王巍,代作海,王晓磊,唐政维,徐洋,王平.杂质不完全离化对MISiC气体传感器的影响[J].传感器与微系统,2010,29(09):67-69+73.

WANG Wei1, DAI Zuo-hai1, WANG Xiao-lei1, et al. Influence of dopant incomplete ionization on MISiC gas sensor[J]. 2010, 29(9): 67-69+73.
[1]王巍,代作海,王晓磊,唐政维,徐洋,王平.杂质不完全离化对MISiC气体传感器的影响[J].传感器与微系统,2010,29(09):67-69+73. DOI： 10.13873/j.1000-97872010.09.022.

WANG Wei1, DAI Zuo-hai1, WANG Xiao-lei1, et al. Influence of dopant incomplete ionization on MISiC gas sensor[J]. 2010, 29(9): 67-69+73. DOI： 10.13873/j.1000-97872010.09.022.

摘要

研究了杂质不完全离化对金属—绝缘体—碳化硅（MISiC）传感器性能的影响。考虑到Pool-Frenkel效应和外加电场的作用

建立了MISiC器件空间电荷区泊松方程。运用准中性近似

对所建立的泊松方程进行数值计算

得到了空间电荷区的电势分布

进而得到MISiC传感器的I-V与C-V特性。实验结果表明:室温下SiC器件中杂质不完全离化

随着温度的升高

杂质离化率增大。在外加电场的作用下

杂质的离化率增加

并最终导致MISiC器件I-V与C-V曲线的移动。

Abstract

The influence of incomplete ionization on characteristics of metal-insulator-SiC（MISiC） gas sensor is studied.Possion’s equation in space charge region of MISiC devices is built up by taking Pool-Frenkel effect and electric field into account.The potential distribution of MISiC is achieved by the numerical solution of the Possion’s equation

then the I-V and C-V characteristics of MISiC gas sensor are also got.The results show that the dopant in SiC can’t be completely ionized at room temperature and the ionized ratio will be increased as temperature rises.In addition

the ionized ratio will be increased when the electric field exists

which eventually causes the shift of the device’s I-V and C-V characteristics curve.

关键词

Keywords

references

杂质不完全离化对SiCMOSFET的影响 [J]. 尚也淳,张义门,张玉明. 半导体学报 . 2001(07)

碳化硅宽带隙半导体技术[M]. 科学出版社 , 郝跃等编著, 2000

半导体物理学[M]. 国防工业出版社 , 刘恩科等编著, 1989

Status of silicon carbide （SiC） as a wide-bandgap semiconductor for high-temperature applications: A review [J] . J.B. Casady,R.W. Johnson. Solid State Electronics . 1996 (10)

浏览量

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

烧结气氛对SnO₂纳米材料气敏性影响的研究

Cr₂O₃/ZnO的制备及常温氨的气敏性能

基于花状h MoO₃纳米棒@石墨烯的氨气传感器

基于光化学沉积WO₃多孔薄膜的气体传感器研究

新型二维MXene材料在气体传感领域的研究进展