X波段移相器中低弹性系数RF-MEMS开关的研究

臧法珩; 丁桂甫; 宿智娟

doi:10.13873/j.1000-97872010.09.010

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X波段移相器中低弹性系数RF-MEMS开关的研究

研究与探讨 | 更新时间：2025-09-11

- X波段移相器中低弹性系数RF-MEMS开关的研究
- Research on the RF-MEMS switch with low elasticity coefficient in the X-band phase shifter
- 传感器与微系统 2010年29卷第9期页码：42-44
- 作者机构：
  
  上海交通大学微纳科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：10.13873/j.1000-97872010.09.010
  中图分类号： TN623
- 纸质出版：2010
- 稿件说明：
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[1]臧法珩,丁桂甫,宿智娟.X波段移相器中低弹性系数RF-MEMS开关的研究[J].传感器与微系统,2010,29(09):42-44.

ZANG Fa-heng, DING Gui-fu, SU Zhi-juan. Research on the RF-MEMS switch with low elasticity coefficient in the X-band phase shifter[J]. 2010, 29(9): 42-44.
[1]臧法珩,丁桂甫,宿智娟.X波段移相器中低弹性系数RF-MEMS开关的研究[J].传感器与微系统,2010,29(09):42-44. DOI： 10.13873/j.1000-97872010.09.010.

ZANG Fa-heng, DING Gui-fu, SU Zhi-juan. Research on the RF-MEMS switch with low elasticity coefficient in the X-band phase shifter[J]. 2010, 29(9): 42-44. DOI： 10.13873/j.1000-97872010.09.010.

摘要

讨论了一种应用于X波段开关线型移相器中的新型低弹性系数RF-MEMS静电式开关的设计。通过对多臂梁式结构RF-MEMS开关的力学性能和电学性能进行有限元仿真和优化

开关的弹性系数为17.63 N/m。在10 GHz的工作频率下

此RF-MEMS开关驱动电压为36.5 V

移相器的插入损耗小于9 dB。

Abstract

An electrostatic RF-MEMS switch with low coefficient of elasticity was designed and implemented in the X-band switched-line phase shifter.By the simulation and optimization with the finite element methods in both mechanical and electrical properties of the multi-anchored beams

achieved the actuation voltage is 36.5 V and the elasticity coefficient is 17.63 N/m.In the operation frequency of 10 GHz

the insertion loss of the phase shifter is limited below 9 dB.

关键词

Keywords

references

Techniques to study the reliability of metal RF MEMS capacitive switches [J] . I. De Wolf,W.M. van Spengen. Microelectronics Reliability . 2002 (9)

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