基于CMOS迁移率与阈值电压特性的温度传感器

李蕾; 毛陆虹; 黄晓综; 谢生; 张世林

doi:10.13873/j.1000-97872010.05.033

Chinese

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基于CMOS迁移率与阈值电压特性的温度传感器

设计与制造 | 更新时间：2025-09-11

- 基于CMOS迁移率与阈值电压特性的温度传感器
- A CMOS temperature sensor based on the mobility and threshold voltage temperature effects
- 传感器与微系统 2010年29卷第5期页码：102-104+108
- 作者机构：
  
  1. 天津大学电子信息工程学院
  2. 辽宁工程技术大学电子与信息工程学院
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家“863”计划资助项目（2008AA04A102）
- DOI：10.13873/j.1000-97872010.05.033
  中图分类号： TP212.11
- 纸质出版：2010
- 稿件说明：
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[1]李蕾,毛陆虹,黄晓综,谢生,张世林.基于CMOS迁移率与阈值电压特性的温度传感器[J].传感器与微系统,2010,29(05):102-104+108.

LI Lei1, MAO Lu-hong1, HUANG Xiao-zong1, et al. A CMOS temperature sensor based on the mobility and threshold voltage temperature effects[J]. 2010, 29(5): 102-104+108.
[1]李蕾,毛陆虹,黄晓综,谢生,张世林.基于CMOS迁移率与阈值电压特性的温度传感器[J].传感器与微系统,2010,29(05):102-104+108. DOI： 10.13873/j.1000-97872010.05.033.

LI Lei1, MAO Lu-hong1, HUANG Xiao-zong1, et al. A CMOS temperature sensor based on the mobility and threshold voltage temperature effects[J]. 2010, 29(5): 102-104+108. DOI： 10.13873/j.1000-97872010.05.033.

摘要

针对射频识别（RFID）标签应用

采用SMIC.18 RF CMOS工艺设计了一种温度传感器。利用MOS管迁移率和阈值电压与温度的关系设计了延迟时间与温度相关的延迟单元

进而产生与温度相关的脉冲信号

并通过后续电路对脉冲采样计数

将温度信息转换成数字信号供RFID标签数字模块使用。仿真测试结果表明:当温度为-20～80℃时

温度传感器精度为1℃。标签模拟电路的总功耗电流为6μA。

Abstract

A temperature sensor is designed for RFID tag and fabricated by SMIC.18 RF CMOS technology.A delay unit is designed based on the mobility and threshold voltage temperature effects of MOS transistor.The delay time of the unit is related to temperature.On the basis of that pulse signal which is related to temperature is generated.A converter is utilized to convert the pulse to digital codes for RFID digital system.The simulation results show that the precision of sensor is 1 ℃ at the range of-20～80 ℃ and the total power current of the analog circuit in RFID tag is 6 μA.

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