基于金硅腐蚀自停止技术的亚微米梁制作研究

陆荣; 陆松涛; 杨恒

doi:10.13873/j.1000-97872008.12.009

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基于金硅腐蚀自停止技术的亚微米梁制作研究

前沿技术 | 更新时间：2025-09-11

- 基于金硅腐蚀自停止技术的亚微米梁制作研究
- Research on fabrication of submicro beams with Au/Si galvanic etchstop technique
- 传感器与微系统 2008年27卷第12期页码：118-120
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室
  2. 中国科学院研究生院
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家“863”计划资助项目（2007AA04Z305）
- DOI：10.13873/j.1000-97872008.12.009
  中图分类号： TG174
- 纸质出版：2008
- 稿件说明：
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[1]陆荣,陆松涛,杨恒.基于金硅腐蚀自停止技术的亚微米梁制作研究[J].传感器与微系统,2008,27(12):118-120.

LU Rong1, LU Song-tao1, YANG Heng1. Research on fabrication of submicro beams with Au/Si galvanic etchstop technique[J]. 2008, 27(12): 118-120.
[1]陆荣,陆松涛,杨恒.基于金硅腐蚀自停止技术的亚微米梁制作研究[J].传感器与微系统,2008,27(12):118-120. DOI： 10.13873/j.1000-97872008.12.009.

LU Rong1, LU Song-tao1, YANG Heng1. Research on fabrication of submicro beams with Au/Si galvanic etchstop technique[J]. 2008, 27(12): 118-120. DOI： 10.13873/j.1000-97872008.12.009.

摘要

提出了利用无电极电化学腐蚀自停止技术制作亚微米梁结构的新工艺方法。根据金硅腐蚀自停止现象发生的条件

结合硅材料的各向异性腐蚀特性

设计器件结构

利用腐蚀暴露面积变化实现了硅的选择性自停止腐蚀。在（111）型硅片上利用原电池钝化效应一次性腐蚀出与衬底绝缘

由约4μm厚的金电极支撑

厚度约为235 nm的亚微米梁结构

具有制作简单、成品率高、成本低等特点

应用前景广阔。

Abstract

A novel process of fabricating sub-micro beams with contactless electrochemical etch-stop technique is presented.The etch-stop is realized by changing exposed etching area of the device according to the characteristic of anistropic etching of silicon and the reqirement of Au/Si etch-stop.The sub-micro beam with the thickness of 235nm is formed on（111） wafer with the galvanic cell passivation

which is insulated from substrate and supported by the Au electrode with 4μm thickness.This is a promising process with easy fabrication steps

high yield

low cost and wide appilication.

关键词

Keywords

references

几种基于MEMS的纳米梁制作方法研究 [J]. 许科峰,于海涛,杨永亮,杨恒,李昕欣,王跃林. 传感技术学报 . 2007(09)

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