基于0.25μm工艺的低压有源像素传感器研究

李晓磊; 曾云; 张国樑; 彭琰; 王太宏

doi:10.13873/j.1000-97872008.06.021

Chinese

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

基于0.25μm工艺的低压有源像素传感器研究

研究与探讨 | 更新时间：2025-09-11

- 基于0.25μm工艺的低压有源像素传感器研究
- Research on low-voltage APS based on 0.25μm technology
- 传感器与微系统 2008年第6期页码：15-17
- 作者机构：
  
  湖南大学微电子研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  湖南省自然科学基金资助项目（05JJ30115）
- DOI：10.13873/j.1000-97872008.06.021
  中图分类号： TP212
- 纸质出版：2008
- 稿件说明：
移动端阅览
[1]李晓磊,曾云,张国樑,彭琰,王太宏.基于0.25μm工艺的低压有源像素传感器研究[J].传感器与微系统,2008(06):15-17.

LI Xiao-lei1, ZENG Yun1, ZHANG Guo-liang1, et al. Research on low-voltage APS based on 0.25μm technology[J]. 2008, (6): 15-17.
[1]李晓磊,曾云,张国樑,彭琰,王太宏.基于0.25μm工艺的低压有源像素传感器研究[J].传感器与微系统,2008(06):15-17. DOI： 10.13873/j.1000-97872008.06.021.

LI Xiao-lei1, ZENG Yun1, ZHANG Guo-liang1, et al. Research on low-voltage APS based on 0.25μm technology[J]. 2008, (6): 15-17. DOI： 10.13873/j.1000-97872008.06.021.

摘要

提出了用PMOSFET代替传统的有源像素传感器（APS）中的NMOSFET作为复位晶体管

优化设计CMOS有源像素图像传感器

用0.25μm CMOS工艺进行仿真

结果表明:在相同的条件下

这种器件比传统APS拥有更高的信噪比、更大的输出电压摆幅、更大的动态范围和更快的读出速度。

Abstract

That a PMOSFET is used to substitute the NMOSFET in APS as reset transistor is presented.By optimizing and simulating based on the 0.25μm CMOS technology

the results show that the new structure has higher signal-to-noise ratio

wider output swing

wider dynamic range and faster readout speed under the same condition.

关键词

Keywords

references

浏览量

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

高线性度电流控制振荡器设计

自适应极化滤波的水中目标线谱提取方法

用于数字图像传感器的脉冲宽度调制读出方法研究

一种新型片内CMOS集成温度传感器的设计

基于小波相位的噪声抑制方法研究