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直流反应磁控溅射法制备WO3薄膜及其氢敏特性研究
研究与探讨 | 更新时间:2025-09-11
    • 直流反应磁控溅射法制备WO3薄膜及其氢敏特性研究

    • Study on WO3 thin film prepared by DC reactive magnetron sputtering and its hydrogen gas sensing features

    • 传感器与微系统   2008年第3期 页码:46-48
    • DOI:10.13873/j.1000-97872008.03.034    

      中图分类号: TP204
    • 纸质出版:2008

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  • [1]胡明,冯有才,尹英哲,陈鹏.直流反应磁控溅射法制备WO_3薄膜及其氢敏特性研究[J].传感器与微系统,2008(03):46-48. DOI: 10.13873/j.1000-97872008.03.034.

    HU Ming1, FENG You-cai1, YUN Yong-chol1, et al. Study on WO3 thin film prepared by DC reactive magnetron sputtering and its hydrogen gas sensing features[J]. 2008, (3): 46-48. DOI: 10.13873/j.1000-97872008.03.034.

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