单晶硅压力传感器温度漂移的补偿方法

王世清; 姜彤; 侯占民

doi:10.13873/j.1000-97872006.07.011

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单晶硅压力传感器温度漂移的补偿方法

更新时间：2025-09-11

- 单晶硅压力传感器温度漂移的补偿方法
- Temperature compensation of mono crystal silicon pressure sensor
- 传感器与微系统 2006年第7期页码：33-35+39
- 作者机构：
  
  1. 中国电子科技集团公司第四十九研究所
  2. 中国电子科技集团公司第四十九研究所,黑龙江,哈尔滨,150001
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：10.13873/j.1000-97872006.07.011
  中图分类号： TP212
- 纸质出版：2006
- 稿件说明：
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[1]王世清,姜彤,侯占民.单晶硅压力传感器温度漂移的补偿方法[J].传感器与微系统,2006(07):33-35+39.

WANG Shi-qing, JIANG Tong, HOU Zhan-min. Temperature compensation of mono crystal silicon pressure sensor[J]. 2006, (7): 33-35+39.
[1]王世清,姜彤,侯占民.单晶硅压力传感器温度漂移的补偿方法[J].传感器与微系统,2006(07):33-35+39. DOI： 10.13873/j.1000-97872006.07.011.

WANG Shi-qing, JIANG Tong, HOU Zhan-min. Temperature compensation of mono crystal silicon pressure sensor[J]. 2006, (7): 33-35+39. DOI： 10.13873/j.1000-97872006.07.011.

摘要

介绍了单晶硅压力传感器温度漂移的机理

阐述了采取串并联电阻网络和有源电路分段等综合补偿方法的补偿原理。实验结果表明:在-45

5℃温区内

补偿后

热零点漂移和热灵敏度漂移从±0.5%FS/℃提高到±0.014%FS/℃。

Abstract

Temperature drift principle of mono crystal silicon pressure sensor is introduced

the principle and the detail compensation method of the series-parallel connection resistance net and impassive subsection synthesize way is described.The results of the experiment show that in the temperature range of-45～85 ℃

the temperature drift of off set of the sensor and the temperature drift of sensitivity of sensor is improved from ±0.5 %FS/℃ to（±0.014 %FS/℃）.

关键词

Keywords

references

传感器及其应用手册[M]. 机械工业出版社 , 孙宝元,杨宝清主编, 2004

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