基于Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>薄膜的压力传感器

王奇; 赵湛; 耿照新; 方震; 曾欢欢; 张博军

doi:10.13873/j.1000-97872006.03.024

Chinese

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基于Si₃N₄薄膜的压力传感器

更新时间：2025-09-11

- 基于Si₃N₄薄膜的压力传感器
- Pressure sensor based on Si₃N₄ membrane
- 传感器与微系统 2006年第3期页码：71-73
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室
  2. 中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室,北京,100080
  3. 中国科学院研究生院
  4. ,北京,100039
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金资助项目（90207006）;中国科学院微系统创新项目
- DOI：10.13873/j.1000-97872006.03.024
  中图分类号： TP212
- 纸质出版：2006
- 稿件说明：
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[1]王奇,赵湛,耿照新,方震,曾欢欢,张博军.基于Si_3N_4薄膜的压力传感器[J].传感器与微系统,2006(03):71-73.

WANG Qi~. Pressure sensor based on Si₃N₄ membrane[J]. 2006, (3): 71-73.
[1]王奇,赵湛,耿照新,方震,曾欢欢,张博军.基于Si_3N_4薄膜的压力传感器[J].传感器与微系统,2006(03):71-73. DOI： 10.13873/j.1000-97872006.03.024.

WANG Qi~. Pressure sensor based on Si₃N₄ membrane[J]. 2006, (3): 71-73. DOI： 10.13873/j.1000-97872006.03.024.

摘要

采用微机电系统（MEMS）技术制造的传感器具有体积小、重量轻、成本低等特点。基于S i3N4压力敏感膜

利用MEMS技术

设计了一种用于测量气压的传感器。采用应变电阻原理对压力进行测量

进行了理论分析计算

设计了工艺过程

制作出了器件样片。这种压力传感器的显著优点是结构简单、工艺过程容易。并且

在50

00 kPa的压力条件下

对传感器进行了测试

其精度达到了0.5%。

Abstract

Sensors based on microelectromechanial system（MEMS） technology have the advantages of small size

less weight and low cost.A pressure sensor based on Si

pressure sensitive membrane with MEMS technology is designed.Strain gauge is used to measure the pressure.The characteristics of the sensor are calculated and simulated

process is designed

and a sample sensor is made out.The remarkable advantages of the sensors are simple structure and easy process.The sensor is tested under the condition of 50～100 kPa

and its precision is 0.5 %.

关键词

Keywords

references

微电子制造科学原理与工程技术[M]. 电子工业出版社 , (美)StephenA.Campbell著, 2003

传感器原理[M]. 航空工业出版社 , 伍厚枢编著, 1987

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基于Si3N4薄膜的压力传感器

Pressure sensor based on Si3N4 membrane

DOI：10.13873/j.1000-97872006.03.024

摘要

Abstract

关键词

Keywords

references

基于Si₃N₄薄膜的压力传感器

Pressure sensor based on Si₃N₄ membrane