CMOS离子敏场效应管SPICE模型

Chinese

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

CMOS离子敏场效应管SPICE模型

更新时间：2025-09-11

- CMOS离子敏场效应管SPICE模型
- 暂无标题
- 传感器与微系统 2005年第10期页码：6
- 作者机构：
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：10.13873/j.1000-97872005.10.006
  中图分类号： TN386
- 纸质出版：2005
- 稿件说明：
移动端阅览
CMOS离子敏场效应管SPICE模型[J]. 传感器与微系统, 2005,(10):6.
CMOS离子敏场效应管SPICE模型[J]. 传感器与微系统, 2005,(10):6. DOI： 10.13873/j.1000-97872005.10.006.

DOI：

完全用CMOS工艺实现离子敏场效应型晶体管(ISFET)成为可能

这种ISFET的栅极结构是由绝缘体、多晶硅、金属层叠起来

称之为多层栅结构。从ISFET的传感机理出发

通过分析金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)阈值电压的原理

利用通用电路模拟程序(SPICE)建立了这种多层栅结构ISFET的物理模型

并对其静态输入输出特性进行仿真

仿真结果和试验数据基本相符。

牛蒙年，丁辛芳，童勤义.Si_3N_4绝缘栅中两种表面基对pH－ISFET器件敏感特性的影响[J].半导体学报,1996(07).

浏览量

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

离子敏场效应晶体管宏模型的建立与仿真

面向生物检测的AlGaN/GaN HEMT传感芯片研究进展

DNA场效应晶体管的研制

氟离子敏场效应管的研制

pH-ISFET在电位滴定中的应用