纸质出版:2005
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低温阳极键合技术研究[J]. 传感器与微系统, 2005,(9):37-39.
低温阳极键合技术研究[J]. 传感器与微系统, 2005,(9):37-39. DOI: 10.13873/j.1000-97872005.09.014.
DOI:
通过键合温度220~250℃、键合电压400~600 V的硅玻璃低温阳极键合实验
分析了温度和电场分别对键合强度和键合效率的影响
并讨论了键合机理。
吴登峰,邬玉亭,褚家如,张淑珍.采用线阴极的快速阳极键合方法[J].传感器技术,2003(05).
吴东平,黄宜平,竺士炀.晶片键合技术及其在微电子学中的应用[J].微电子学,1999(01).
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