新型InSb-In薄膜磁阻式振动传感器的设计

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更新时间：2025-09-11

- 新型InSb-In薄膜磁阻式振动传感器的设计
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- 传感器与微系统 2005年第7期页码：54-56
- 作者机构：
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  广东省自然科学基金资助项目(031515);广东省“十五”攻关项目(2002A1060204)
- DOI：10.13873/j.1000-97872005.07.020
  中图分类号： TP212.12
- 纸质出版：2005
- 稿件说明：
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新型InSb-In薄膜磁阻式振动传感器的设计[J]. 传感器与微系统, 2005,(7):54-56.
新型InSb-In薄膜磁阻式振动传感器的设计[J]. 传感器与微系统, 2005,(7):54-56. DOI： 10.13873/j.1000-97872005.07.020.

DOI：

介绍了一种用InSbIn共晶体薄膜磁敏元件制成的准全方位振动传感器。它由两对对称轴方向互相垂直的InSbIn磁敏元件构成

可将检测方位范围由一维扩展到现在的二维平面

并用单片机P87LPC760对传感器信号进行处理

应用中可提高检测信号的准确性。经实测

在机械振动的中低频率检测范围内

传感器的有效频带不窄于4～760Hz

其通频带内信噪比为30～32dB

经换算得灵敏度为16mV/gn。同时

得到传感器振动强度大小与磁敏电阻器输出信号关系曲线。

《电子元件材料手册》编写组编,曲喜新主编.电子元件材料手册[M].电子工业出版社,1989.

郑鑫,黄钊洪.锑化铟薄膜磁阻式振动传感器[J].传感器世界,2003(11).

林建欢,黄宜坚.智能摩托车防盗报警器的设计[J].福建电脑,2002(06).

黄钊洪.InSb-In共晶体磁阻薄膜的晶面和磁阻特性[J].传感器技术,2001(08).

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