单晶硅浓硼掺杂悬臂梁中残余应力的研究

徐静; 苏伟

doi:10.13873/j.1000-97872005.07.017

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单晶硅浓硼掺杂悬臂梁中残余应力的研究

更新时间：2025-09-11

- 单晶硅浓硼掺杂悬臂梁中残余应力的研究
- Study of residual strain in heavily boron-doped silicon cantilever
- 传感器与微系统 2005年第7期页码：47-48+51
- 作者机构：
  
  1. 中国工程物理研究院电子工程研究所
  2. 中国工程物理研究院电子工程研究所,四川,绵阳,621900
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国防预研基金资助项目（2002-4210503-5-03）
- DOI：10.13873/j.1000-97872005.07.017
  中图分类号： TP212
- 纸质出版：2005
- 稿件说明：
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[1]徐静,苏伟.单晶硅浓硼掺杂悬臂梁中残余应力的研究[J].传感器技术,2005(07):47-48+51.

XU Jing, SU Wei. Study of residual strain in heavily boron-doped silicon cantilever[J]. 2005, (7): 47-48+51.
[1]徐静,苏伟.单晶硅浓硼掺杂悬臂梁中残余应力的研究[J].传感器技术,2005(07):47-48+51. DOI： 10.13873/j.1000-97872005.07.017.

XU Jing, SU Wei. Study of residual strain in heavily boron-doped silicon cantilever[J]. 2005, (7): 47-48+51. DOI： 10.13873/j.1000-97872005.07.017.

摘要

单晶硅高浓度硼掺杂会导致晶格失配

从而引起一定的残余应力。为了估算残余应力的大小

研究了浓硼掺杂悬臂梁的形变曲线;分析了形变曲线与悬臂梁尺寸的关系

其中

悬臂梁长度对形变曲线无影响

而宽度越小

形变曲线越陡。通过对变形曲线的拟合

把形变曲线等效成为弯曲外力偶矩下的形变

从而估算出等效的残余应力大小

约为1×107Pa。

Abstract

Some imparity of crystal lattice can exist because of the heavy doping of silicon

so it can cause residual stress.To direct this problem

the strain caused by heavy doping is analysed by means of research in deflection curve of heavily boron-doped monocrystalline silicon cantilever.The relationship between deflection curve and dimensions of cantilevers has been studied

the length doesn’t affect the curve

but the width does

the smaller is the width

the steeper is the curve.Suppose the deflection is caused by bending moment

and the curve is simulated.The residual stress is about 1×107Pa.

关键词

Keywords

references

浓硼硅腐蚀自停止的研究 [J]. 陈德英. 半导体技术 . 1998(05)

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