纸质出版:2005
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稀土Nd掺杂纳米SnO2薄膜气敏特性[J]. 传感器与微系统, 2005,(6):29-31.
稀土Nd掺杂纳米SnO2薄膜气敏特性[J]. 传感器与微系统, 2005,(6):29-31. DOI: 10.13873/j.1000-97872005.06.011.
DOI:
用真空气相沉积法在玻璃衬底上制备纯SnO2和掺稀土Nd的SnO2薄膜
在500℃氧气气氛条件下进行45min热处理
获得良好的纳米SnO2薄膜和掺稀土Nd的SnO2薄膜。结果显示掺Nd和热处理使纳米SnO2薄膜的结构、导电性能得到一定的改善。掺Nd5%的SnO2薄膜对气体的选择性和灵敏性均得到明显的改善
其中
对丁烷的选择性、灵敏度最好
在体积分数为7.2×10-3时
灵敏度可达到340
但对乙醇、丙酮气体的敏感性较差。
张正勇,张耀华,焦正,李民强,张蓉,刘锦淮.半导体氧化物气体传感器测试新原理与方法[J].传感技术学报,2000(02).
徐毓龙,周晓华,曹全喜.氧化物半导体的表面过程与气敏机理[J].传感器技术,1991(06).
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