纸质出版:2005
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三漏CMOS磁敏开关的设计[J]. 传感器与微系统, 2005,(1):53-54+57.
三漏CMOS磁敏开关的设计[J]. 传感器与微系统, 2005,(1):53-54+57. DOI: 10.13873/j.1000-97872005.01.021.
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介绍了一种新型的磁敏开关。它的磁敏感部分由2个互补的三漏MOS晶体管组成
将恒流源、放大器、施密特触发器和输出驱动管等电路集成在同一块芯片上。该磁敏开关具有稳定性能好、灵敏度高、功耗低、抗干扰等优点
单端输出灵敏度可达4V/T。由于采用了现有的硅栅CMOS工艺
实现起来更加容易。
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