离子敏场效应晶体管宏模型的建立与仿真

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离子敏场效应晶体管宏模型的建立与仿真

更新时间：2025-09-11

- 离子敏场效应晶体管宏模型的建立与仿真
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- 传感器与微系统 2005年第1期页码：43-44+47
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- DOI：10.13873/j.1000-97872005.01.017
  中图分类号： TN32
- 纸质出版：2005
- 稿件说明：
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离子敏场效应晶体管宏模型的建立与仿真[J]. 传感器与微系统, 2005,(1):43-44+47.
离子敏场效应晶体管宏模型的建立与仿真[J]. 传感器与微系统, 2005,(1):43-44+47. DOI： 10.13873/j.1000-97872005.01.017.

DOI：

根据电化学表面基模型理论

提出了一种简单有效的能够描述离子敏场效应晶体管(ISFET)静态特性的仿真模型

借助此模型

对器件的电学行为进行了模拟

仿真结果与实验数据基本相符。

牛蒙年，丁辛芳，童勤义.Si_3N_4绝缘栅中两种表面基对pH－ISFET器件敏感特性的影响[J].半导体学报,1996(07).

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