超磁致伸缩薄膜/光纤的制备及其磁探测性能

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更新时间：2025-09-11

- 超磁致伸缩薄膜/光纤的制备及其磁探测性能
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- 传感器与微系统 2004年第10期页码：18-21
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- DOI：10.13873/j.1000-97872004.10.007
  中图分类号： TP212.13;TN253
- 纸质出版：2004
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超磁致伸缩薄膜/光纤的制备及其磁探测性能[J]. 传感器与微系统, 2004,(10):18-21.
超磁致伸缩薄膜/光纤的制备及其磁探测性能[J]. 传感器与微系统, 2004,(10):18-21. DOI： 10.13873/j.1000-97872004.10.007.

DOI：

采用磁控溅射工艺在光纤表面制备了厚度均匀的TbDyFe超磁致伸缩薄膜。利用马赫曾德尔干涉仪对TbDyFe超磁致伸缩薄膜/光纤传感器的磁探测性能进行了实验测试。结果表明:在调制频率f=1kHz附近

传感器对磁场具有最大的信号响应;在恒定直流磁场及调制磁场强度小于1kA/m的条件下

输出信号大小随调制磁场强度线性增加;在35～50kA/m的直流磁场范围内

传感器(对应1m长传感臂)可探测的最小磁场变化Hmin=8.6×10-2A/m

若采用分辨力为10-6rad的干涉仪并增加镀膜光纤的长度和薄膜厚度

则可进一步提高传感器的磁探测灵敏度。

袁纵横,刘永智,周晓军.光纤F-P微弱磁场传感器[J].传感器技术,1999(01).

刘岚.一种测量静态磁场的光纤传感仪[J].传感器技术,1995(01).

唐明光,刘树杞.光纤技术在工业和军事上的应用[J].激光与红外,1992(01).

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