采用MEMS制作新型硅磁敏三极管特性研究

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更新时间：2025-09-11

- 采用MEMS制作新型硅磁敏三极管特性研究
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- 传感器与微系统 2004年第9期页码：86-88
- 作者机构：
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金资助项目(60076027)
- DOI：10.13873/j.1000-97872004.09.034
  中图分类号： TN32
- 纸质出版：2004
- 稿件说明：
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采用MEMS制作新型硅磁敏三极管特性研究[J]. 传感器与微系统, 2004,(9):86-88.
采用MEMS制作新型硅磁敏三极管特性研究[J]. 传感器与微系统, 2004,(9):86-88. DOI： 10.13873/j.1000-97872004.09.034.

DOI：

给出采用MEMS技术在硅片表面制作矩形板状立体结构新型硅磁敏三极管的基本结构及灵敏度特性、电压-电流特性、磁电特性和温度特性

对新型硅磁敏三极管样品基本特性进行研究的结果表明:该新型硅磁敏三极管的集电极电流相对磁灵敏度较高

最大可达227%/T

具有负温度系数且温度系数较小。同时

给出影响新型硅磁敏三极管特性的基本因素。

温殿忠等著.磁敏感元器件与磁传感器[M].黑龙江科学技术出版社,2002.

黄得星等编著.磁敏感器件及其应用[M].科学出版社,1987.

温殿忠,穆长生,赵晓峰.采用MEMS技术制造硅磁敏三极管[J].传感器技术,2001(05).

温殿忠,邱成军,庄玉光.P~+πN~+器件压磁电效应的研究[J].传感技术学报,1996(02).

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