Cu2+掺杂对In2O3电导和气敏性能的影响

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Cu²⁺掺杂对In₂O₃电导和气敏性能的影响

更新时间：2025-09-11

- Cu²⁺掺杂对In₂O₃电导和气敏性能的影响
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- 传感器与微系统 2004年第5期页码：12-14
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- DOI：10.13873/j.1000-97872004.05.004
  中图分类号： O649.4
- 纸质出版：2004
- 稿件说明：
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Cu²⁺掺杂对In₂O₃电导和气敏性能的影响[J]. 传感器与微系统, 2004,(5):12-14.
Cu²⁺掺杂对In₂O₃电导和气敏性能的影响[J]. 传感器与微系统, 2004,(5):12-14. DOI： 10.13873/j.1000-97872004.05.004.

DOI：

为寻求新型气敏材料

用化学共沉淀法制备了Cu2+掺杂In2O3

研究了其相结构、电导和气敏性能。结果表明:900℃热处理4h所得掺2%Cu2+的In2O3微粉制作的元件对C2H5OH有较高的灵敏度和较好的选择性

有良好的应用前景。

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葛秀涛,储向锋,刘杏芹.掺镁YFeO_3固溶体的电导和气敏性能研究[J].化学物理学报,2000(03).

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