稀土Nd掺杂纳米ZnO薄膜气敏特性

Chinese

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

稀土Nd掺杂纳米ZnO薄膜气敏特性

更新时间：2025-09-11

- 稀土Nd掺杂纳米ZnO薄膜气敏特性
- 暂无标题
- 传感器与微系统 2004年第5期页码：9-11+14
- 作者机构：
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  内蒙古自然科学基金资助项目(20028020209)
- DOI：10.13873/j.1000-97872004.05.003
  中图分类号： O484.4
- 纸质出版：2004
- 稿件说明：
移动端阅览
稀土Nd掺杂纳米ZnO薄膜气敏特性[J]. 传感器与微系统, 2004,(5):9-11+14.
稀土Nd掺杂纳米ZnO薄膜气敏特性[J]. 传感器与微系统, 2004,(5):9-11+14. DOI： 10.13873/j.1000-97872004.05.003.

DOI：

研究了用真空气相沉积法在玻璃衬底上制备掺稀土Nd的ZnO薄膜的气敏特性

实验给出

经温度为500℃

时间为45min的氧化、热处理的掺Nd的ZnO薄膜的晶粒尺寸、结构特性均发生变化。随掺Nd质量分数的增大

薄膜的晶粒尺寸从53nm减小至20nm。经掺Nd(质量分数为4.96×10-2)后纳米ZnO薄膜对乙醇气体的选择性和灵敏性均得到明显的改善。在1.5×10-3体积分数的乙醇气体中最高灵敏度为34

相应的薄膜工作温度为200℃。

李永生,杨莉玲.半导体气敏元件的选择性研究[J].仪表技术与传感器,2003(03).

李健,李海兰,田野,宋淑芳.掺杂和热处理对纳米ZnO薄膜气敏特性影响[J].传感器技术,2002(03).

李来风,潘晓晴.稀土氧化物掺杂对SnO_2基气体传感器材料性能的影响(英文)[J].材料研究学报,2000(01).

张义华,王学勤,王祥生,牛德芳.纳米SnO_2的制备及其气敏特性分析[J].传感器技术,1999(06).

徐毓龙,周晓华,曹全喜.氧化物半导体的表面过程与气敏机理[J].传感器技术,1991(06).

许振嘉编著.近代半导体材料的表面科学基础[M].北京大学出版社,2002.

浏览量

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

稀土Nd掺杂纳米SnO₂薄膜气敏特性

SnO₂-ZnO复合膜特性研究

纳米技术在生物传感器中的应用

纳米氧化铋研究

SnO₂/ZnO双层膜的表面界面及气敏特性