纸质出版:2004
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水热腐蚀铁钝化多孔硅的湿敏特性研究[J]. 传感器与微系统, 2004,(3):11-13.
水热腐蚀铁钝化多孔硅的湿敏特性研究[J]. 传感器与微系统, 2004,(3):11-13. DOI: 10.13873/j.1000-97872004.03.003.
DOI:
采用水热腐蚀铁钝化法在单晶硅片上生长铁钝化多孔硅(IPS)薄膜
以IPS为感湿介质制成湿敏元件。在不同湿度环境以及测试频率下
测出其电容值
得到了IPS的湿敏特性曲线。研究发现
当相对湿度从11%RH逐渐增加到95%RH的过程中
在测试频率为100Hz时
IPS湿敏元件的电容值增大幅度达1500%
电容响应时间在升湿过程和脱湿过程分别为15s和5s
并且IPS湿敏元件的温度系数在15℃到35℃的范围内较小。结果表明:IPS湿敏元件的特性包括灵敏度、响应时间以及温度系数等均优于多孔硅(PS)湿敏元件的特性。
许媛媛,何金田,李新建,陈渝仁.多孔硅湿度传感器研究进展[J].传感器技术,2003(08).
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