Chinese
您当前的位置：
首页 >
文章列表页 >
基于霍尔效应的半导体外延片电参数测试
更新时间：2025-09-11

    • 基于霍尔效应的半导体外延片电参数测试

    • 暂无标题

    • 传感器与微系统   2004年第2期 页码：38-39+43

    • DOI：10.13873/j.1000-97872004.02.012    

      中图分类号： TN307

    • 纸质出版：2004

    移动端阅览

  • 基于霍尔效应的半导体外延片电参数测试[J]. 传感器与微系统, 2004,(2):38-39+43. DOI： 10.13873/j.1000-97872004.02.012.

  •  
  •  
icon
试读结束，您可以激活您的VIP账号继续阅读。
去激活 >
icon
试读结束，您可以通过登录账户，到个人中心，购买VIP会员阅读全文。
已是VIP会员？
去登录 >

0

浏览量

0

下载量

0

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。
提交
工具集
下载
参考文献导出
分享
收藏
添加至我的专辑

相关文章

用霍尔元件实现功率测量的新方法研究
一种用于拱泥机器人位姿检测的倾角传感器

相关作者

暂无数据

相关机构

暂无数据
0