压阻式高量程微加速度计的冲击校准

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压阻式高量程微加速度计的冲击校准

更新时间：2025-09-11

- 压阻式高量程微加速度计的冲击校准
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- 传感器与微系统 2003年第11期页码：78-80
- 作者机构：
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金资助项目(10102021)和(10172086);中国科学院知识创新工程重要方向项目(KJCX2-SW-L2);973项目(G1999033103)的共同资助
- DOI：10.13873/j.1000-97872003.11.027
  中图分类号： TH824.4
- 纸质出版：2003
- 稿件说明：
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压阻式高量程微加速度计的冲击校准[J]. 传感器与微系统, 2003,(11):78-80.
压阻式高量程微加速度计的冲击校准[J]. 传感器与微系统, 2003,(11):78-80. DOI： 10.13873/j.1000-97872003.11.027.

DOI：

采用体硅微机械加工技术和扩散技术

制作压阻式高量程微加速度计

设计量程为50000gn。芯片材料为单晶硅

采用双列扁平陶瓷封装。为了测量其动态灵敏度

使用Hopkinson杆在约40000gn的加速度水平下进行了冲击校准。在电桥电压为6.33V的情况下

被测微加速度计的灵敏度为1.26μV/gn。

马晓青编著.冲击动力学[M].北京理工大学出版社,1992.

K. Ueda,A. Umeda.Characterization of shock accelerometers using davies bar and strain-gages[J].Experimental Mechanics,1993(3).

李玉龙,郭伟国,贾德新,徐绯.高g值加速度传感器校准系统的研究[J].爆炸与冲击,1997(01).

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