通过传感器的结构设计、敏感材料和封装材料的研制以及采用新的传感器制备工艺

制作了一种新型的薄膜式锰铜传感器。采用熔融石英材料作为绝缘基板。在绝缘基板上沉积锰铜敏感薄膜。并在敏感薄膜的上面沉积SiO2封装层薄膜。根据"后置"式传感器由阻抗匹配原则

计算出铝靶板中的最高压力为51.68GPa

SiO2封装材料中的压力为35.396GPa。