1. 中国电子科技集团公司第四十九研究所
2. 哈尔滨理工大学测量技术与通讯工程学院
3. 哈尔滨理工大学测量技术与通讯工程学院,黑龙江,哈尔滨,150001
4. ,黑龙江,哈尔滨,150080
纸质出版:2003
移动端阅览
[1]海涛,刘光辉,周真,卢为.SOI传感器的现状和发展趋势[J].传感器技术,2003(05):61-64.
HAI Tao1, LIU Guanghui1, ZHOU Zhen2, et al. State of the art and trends of SOI sensor[J]. 2003, (5): 61-64.
[1]海涛,刘光辉,周真,卢为.SOI传感器的现状和发展趋势[J].传感器技术,2003(05):61-64. DOI: 10.13873/j.1000-97872003.05.023.
HAI Tao1, LIU Guanghui1, ZHOU Zhen2, et al. State of the art and trends of SOI sensor[J]. 2003, (5): 61-64. DOI: 10.13873/j.1000-97872003.05.023.
SOI传感器具有耐高温、抗辐射、易于批量生产等优点。目前已开发出力学传感器、化学传感器、光传感器和磁传感器等新产品。介绍了SOI晶片的种类
SOI晶片在传感器和MEMS中应用的特点、SOI传感器的典型产品以及发展趋势。
SOI has the advantages of resisting high temperature and radiation
easy to be batch produced.Mechanical
chemical and optical sensors
etc have been developed presently.The category of SOI wafers and its characteristics and applications in MEMS have been introduced
typical products and state of the art and trends are summarized.
0
浏览量
307
下载量
9
CSCD
关联资源
相关文章
相关作者
相关机构