低功耗In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>基LPG气敏元件

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低功耗In₂O₃基LPG气敏元件

更新时间：2025-09-11

- 低功耗In₂O₃基LPG气敏元件
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- 传感器与微系统 2003年第5期页码：31-32+36
- 作者机构：
- 作者简介：
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- DOI：10.13873/j.1000-97872003.05.012
  中图分类号： TP212.2
- 纸质出版：2003
- 稿件说明：
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低功耗In₂O₃基LPG气敏元件[J]. 传感器与微系统, 2003,(5):31-32+36.
低功耗In₂O₃基LPG气敏元件[J]. 传感器与微系统, 2003,(5):31-32+36. DOI： 10.13873/j.1000-97872003.05.012.

DOI：

摘要

采用In2O3超细粉体

掺杂Au和金属氧化物(SiO2

Fe2O3等)

按照直热式气敏元件工艺制成珠状气敏元件

通过Al2O3 Pd的表面催化层处理

研制出功耗低于100mW(在空气中)的液化石油气(LPG)气敏元件。并分析了元件的气敏机理。

Abstract

关键词

Keywords

references

任先武,金建东.低功耗乙醇气敏元件[J].传感器技术,1998(06).

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