CCl<sub>2</sub>F<sub>2</sub>等离子体干法刻蚀InSb-In薄膜的研究

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CCl₂F₂等离子体干法刻蚀InSb-In薄膜的研究

更新时间：2025-09-11

- CCl₂F₂等离子体干法刻蚀InSb-In薄膜的研究
- 暂无标题
- 传感器与微系统 2003年第4期页码：8-10
- 作者机构：
- 作者简介：
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  广东省自然科学基金项目(000675);广东省重点攻关项目(ZKM01401G);广东省高教厅基金项目(0123);广东省高新技术产业发展资金(成果孵化)项目(98FF01)
- DOI：10.13873/j.1000-97872003.04.003
  中图分类号： TP212
- 纸质出版：2003
- 稿件说明：
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CCl₂F₂等离子体干法刻蚀InSb-In薄膜的研究[J]. 传感器与微系统, 2003,(4):8-10.
CCl₂F₂等离子体干法刻蚀InSb-In薄膜的研究[J]. 传感器与微系统, 2003,(4):8-10. DOI： 10.13873/j.1000-97872003.04.003.

DOI：

摘要

用朗缪尔探针诊断了反应室内的等离子体密度

研究了CCl2F2等离子体对InSb In薄膜的刻蚀

结果表明该实验装置能够产生高密度等离子体

在刻蚀样品表面等离子体密度达到6.7170×1010cm-3

CCl2F2等离子体能有效地对InSb In薄膜进行刻蚀。

Abstract

关键词

Keywords

references

李效白.等离子体微细加工技术的新进展[J].真空科学与技术,2000(03).

陈俊芳,刘彭义.用RF-PECVD制备的SnO_2薄膜光电性质及化学成分[J].暨南大学学报(自然科学与医学版),1999(05).

钱振型主编.固体电子学中的等离子体技术[M].电子工业出版社,1987.

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