In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>基气体传感器研究现状

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In₂O₃基气体传感器研究现状

更新时间：2025-09-11

- In₂O₃基气体传感器研究现状
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- 传感器与微系统 2003年第3期页码：1-3
- 作者机构：
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：10.13873/j.1000-97872003.03.001
  中图分类号： TP212
- 纸质出版：2003
- 稿件说明：
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In₂O₃基气体传感器研究现状[J]. 传感器与微系统, 2003,(3):1-3.
In₂O₃基气体传感器研究现状[J]. 传感器与微系统, 2003,(3):1-3. DOI： 10.13873/j.1000-97872003.03.001.

DOI：

氧化铟作为一种新的气敏材料

有望在一定程度上解决现有气体传感器中存在的选择性差和工作温度高等问题。因此

按照被检测气体的种类

从In2O3的气敏材料制备及气敏性能两方面对现有性能较好的In2O3气体传感器进行了评述

并指出了In2O3基半导体气体传感器的发展方向。

全宝富,赵志勇,张彤,陈丽华,张爽,程刚,孙良彦.In_2O_3纳米材料的制备及其气敏特性的研究[J].仪表技术与传感器,2001(01).

孙良彦，刘正绣.常温振荡式CO气敏元件的研制[J].传感器技术,1995(01).

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