InSb-In共晶体薄膜磁阻式齿轮转速传感器

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InSb-In共晶体薄膜磁阻式齿轮转速传感器

更新时间：2025-09-11

- InSb-In共晶体薄膜磁阻式齿轮转速传感器
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- 传感器与微系统 2002年第5期页码：19-21
- 作者机构：
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  广东省自然科技基金重点项目 ( 96 30 5 8);广东省高新技术产业发展资金(成果孵化)项目(98FF01)
- DOI：10.13873/j.1000-97872002.05.007
  中图分类号： TP212
- 纸质出版：2002
- 稿件说明：
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InSb-In共晶体薄膜磁阻式齿轮转速传感器[J]. 传感器与微系统, 2002,(5):19-21.
InSb-In共晶体薄膜磁阻式齿轮转速传感器[J]. 传感器与微系统, 2002,(5):19-21. DOI： 10.13873/j.1000-97872002.05.007.

DOI：

摘要

介绍一种用锑化铟—铟 (InSb In)共晶体薄膜磁敏电阻 (MR)制成的齿轮转速传感器 (GVS)

它由磁敏电阻器和信号处理电路两部分构成。磁敏电阻器的噪声约为 95 μV

磁敏电阻器与齿轮的距离为5mm时

输出信号约为 3mV

信噪比约 30dB

测量的准确性可与国外同类产品相媲美。

Abstract

关键词

Keywords

references

黄钊洪.InSb-In共晶体磁阻薄膜的晶面和磁阻特性[J].传感器技术,2001(08).

张之圣，胡明，刘志刚，王文生.InSb磁敏电阻器导电机理及可靠性[J].半导体学报,1996(02).

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