在半导体器件生产过程中

器件的引线大都是由蒸镀的方法来解决的。蒸镀不仅能制备引线

同时也是传感器件敏感膜制作的主要手段。但蒸镀中常常发现膜厚度不均匀

影响膜厚的因素很多

实际生产中

陪片由于与其它正片的几何位置不同

因此膜厚不同。其差别可达 1%～ 2 0 %

但在大量的文献分析及应用中被忽略。针对两种常见的蒸发源

通过理论计算与实验给出了陪片、基片与蒸发源的最佳位置

使误差可控制在 1%

甚至 0 .1%。